تطوير أول رقاقة سيليكونية لإنشاء ذاكرة سريعة للكومبيوتر

تطوير أول رقاقة سيليكونية لإنشاء ذاكرة سريعة للكومبيوتر



نيويورك / طوّر فريق من العلماء ذاكرة وصول عشوائية من مادة السيليكون، لتصبح أول رقاقة سيليكونية يمكن إستخدامها في إنشاء ذاكرة سريعة جداً في الكمبيوتر.
وقال باحثون في جامعة كولدج لندن البريطانية إنّ رقاقات السيليكون هذه (ReRam) مصنوعة من مواد مثل أكسيدات المعادن تتغير مقاومتها الكهربائية عند تعرضها لتيار كهربائي، وهي تتذكر هذا التغيير حتى عندما يطفأ جهاز الكمبيوتر.
وأفاد الباحثون أنّ هذه الرقاقات صُمّمت لتخزين كمية أكبر من المعلومات بالمقارنة مع التكنولوجيات الحديثة، على مثال ذاكرة "فلاش" أو الذاكرة الوميضية المستخدمة في أقراص التخزين USB التي تتطلب كمية أقل من الطاقة ومساحة أقل.
وقد طوّر فريق العلماء هيكلية جديدة تتألف من أكسيد السيليكون، التي تجري التحول في المقاومة الكهربائية بطريقة أكثر فعالية من السابق، فتتحول ذرات السيليكون في المادة لتشكل أسلاكاً من السيليكون داخل أكسيد السيليكون الصلب، الذي تكون أقل مقاومة للكهرباء، ويمثل حضورها أو غيابها "التحول" من حالة إلى أخرى.
وأفاد الباحثون أنّ هذه الرقاقات، على عكس الرقاقات الأخرى التي يتم تطويرها، لا تتطلب مساحة كبيرة للعمل، كما أنها أرخص ثمناً وأكثر إستمراراً منها، كما تتفتح مجالاً لاستخدام رقاقات سيليكونية شفافة في شاشات اللمس والهواتف الخليوية.